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GM71VS65803CLT-6

更新时间: 2024-02-23 02:59:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

GM71VS65803CLT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.81访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

GM71VS65803CLT-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
TSOPII 32 PIN Pack age D imension  
0.40 M I N  
0.60 M A X  
Unit: mm  
¡ £  
20.95 M I N  
21.35 M A X  
0 ~ 5  
N O R M A L TYPE  
0.145  
0.125  
0.05  
0.04  
0.80  
1.15 M A X  
0.42 0.08  
0.40 0.06  
1.27  
0.08 M I N  
0.18 M A X  
0.10  
Dimension including the plating thickness  
Base m aterial dimension  
Rev 0.1 / Apr’01  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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