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GM71VS65803CLT-6

更新时间： 2024-02-05 10:18:08
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803CLT-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP32,.46
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.81访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.135 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GM71VS65803CLT-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
W rite Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
M in  
0
M ax  
M ax  
0
8
-
-
-
-
-
14  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write Com m and Set-up Time  
Write Com m and Hold Time  
t
t
W C S  
W C H  
10  
10  
15  
10  
0
-
-
-
-
-
-
8
Write Com m and Pulse Width  
Write Com m and to RA S Lead Time  
t
t
W P  
13  
8
RW L  
-
-
Write Com m and to CA S Lead Time  
t
CWL  
15  
15  
0
Data-in Set-up Time  
Data-in H old Time  
t
t
D S  
D H  
10  
8
-
Read-M odify-W rite Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
116  
67  
M in  
M ax  
M ax  
140  
-
-
-
-
-
-
Read-M odify-Write Cycle Tim e  
RA S to W E Delay Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
t
t
t
RW C  
RW D  
C W D  
79  
34  
-
-
14  
14  
30  
CAS to W E Delay Time  
42  
49  
15  
14  
-
-
Column Address to W E Delay Time  
A W D  
13  
t
OEH  
OE H old Time from WE  
Refresh Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5 G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Unit  
Parameter  
M in  
M in  
M ax  
M ax  
CAS Set-up Time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
-
ns  
-
5
t
CSR  
5
CAS H old Time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
8
0
-
-
-
-
10  
0
ns  
ns  
t
t
CHR  
WRP  
W E setup time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
W E hold time  
(CA S-before-RA S Refresh Cycle)  
8
5
-
-
10  
5
-
-
ns  
ns  
t
t
W R H  
RPC  
RA S Precharge to CA S H old Time  
Rev 0.1 / Apr’01  
1...3456789...11

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与GM71VS65803CLT-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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GM7221 ETC 视频编码器

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GM7230 GAMMA PWM Switching Regulators

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GM7230_1 GAMMA 150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS

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