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GM71VS65803CLT-6

更新时间: 2024-01-08 06:09:57
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其他 - ETC 动态存储器
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11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

GM71VS65803CLT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.81访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

GM71VS65803CLT-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
Pin D escription  
Pin  
Function  
Address Inputs  
Pin  
W E  
Function  
A 0-A 11  
A 0-A 11  
RA S  
Write Enable  
I/ O0 - I/ O7  
VCC  
Data Input / Output  
Pow er (+3.3V)  
Ground  
Refresh Address Inputs  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Output Enable  
VSS  
CAS  
OE  
NC  
N o Connection  
O rdering Information  
Type N o.  
A ccess Time  
Pack age  
400 M il  
32Pin  
Plastic SOJ  
GM71V(S)65803C/ CLJ-5  
GM71V(S)65803C/ CLJ-6  
50ns  
60ns  
400 M il  
32Pin  
Plastic TSOP II  
GM71V(S)65803C/ CLT-5  
GM71V(S)65803C/ CLT-6  
50ns  
60ns  
Ab solute M aximum Ratings*  
Symbol  
Param eter  
Rating  
Unit  
TSTG  
Storage Temperature (Plastic)  
-55 to 125  
C
-0.5 to VCC + 0.5  
(M A X ; 4.6V)  
Voltage on any Pin Relative to VSS  
VT  
V
VCC  
IOUT  
PT  
Voltage on V CC Relative to VSS  
Short Circuit Output Current  
Pow er Dissipation  
-0.5 to 4.6  
V
50  
m A  
W
1.0  
*N ote : Operation at or above A bsolute M aximum Ratings can adversely affect device reliability.  
Recommended D C O p erating Conditions (TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
VCC  
Param eter  
Supply Voltage  
Typ  
M ax  
3.6  
0
M in  
3.0  
0
Unit  
N otes  
3.3  
V
V
1,2  
2
VSS  
Supply Voltage  
0
-
Vcc+0.3  
0.8  
VIH  
VIL  
Input H igh Voltage  
Input Low V oltage  
2.0  
V
V
1
1
-0.3  
-
TA  
A m bient Temperature under Bias  
70  
C
0
-
Rev 0.1 / Apr’01  

与GM71VS65803CLT-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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