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GM71VS65803CLJ-6

更新时间： 2024-02-01 18:08:02
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其他 - ETC 动态存储器
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11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803CLJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0003 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71VS65803CLJ-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
Extended D ata Out M ode Cycles  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
M in  
M ax  
M ax  
25  
20  
8
-
-
-
t
t
H PC  
W PE  
EDO Page M ode Cycle Time  
ns  
-
ns  
20  
10  
-
-
Write pulse width during CAS Precharge  
EDO M ode RA S Pulse Width  
-
100000  
t
t
t
RA SP  
100000  
16  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
-
35  
-
9,17  
28  
-
-
ACP  
A ccess Tim e from CAS Precharge  
RA S H old Time from CA S Precharge  
35  
RH C P  
28  
8
10  
t
COL  
-
-
-
-
CAS H old Time Referred OE  
CAS to OE set-up Time  
5
-
5
t
COP  
35  
t
RCH P  
28  
-
Read Command H old Time from CAS  
Precharge  
t
t
D O H  
OEP  
ns  
ns  
Output Data H old Time from CA S Low  
OE Precharge Time  
3
8
-
-
-
-
3
9,22  
10  
ED O Page M ode Read-M odify-W rite cycle  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
N ote  
Symbol  
Parameter  
Unit  
M in  
57  
M in  
M ax  
M ax  
EDO Read-M odify-Write Cycle Time  
-
-
68  
54  
-
-
t
t
H PRW C  
CPW  
ns  
ns  
EDO Page M ode Read-M odify-W rite Cycle  
C A S Precharge to W E D elay Tim e  
45  
14  
Self Refresh Cycles (L_V ersion)  
G M 71V (S)65803C/CL-5  
G M 71V (S)65803C/CL-6  
Symbol  
Parameter  
N ote  
Unit  
M in  
100  
90  
M in  
100  
110  
-50  
M ax  
M ax  
us  
-
-
-
-
-
-
t
RA SS  
26  
26  
RA S Pulse Width(Self-Refresh)  
ns  
ns  
t
t
RPS  
RA S Precharge Time(Self-Refresh)  
CAS H old Time(Self-Refresh)  
-50  
C H S  
Rev 0.1 / Apr’01  
1...4567891011

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与GM71VS65803CLJ-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GM71VS65803CLT-5 ETC

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 		x8 EDO Page Mode DRAM
GM71VS65803CLT-6 ETC

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 		x8 EDO Page Mode DRAM
GM71VS65803CT-5 HYNIX

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 		EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
GM7221 ETC

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GM7230 GAMMA

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