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GM71VS65803CLJ-6

更新时间： 2024-02-11 06:07:40

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GM71VS65803CLJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

G M 71V 65803C

G M 71V S65803CL

TSOPII 32 PIN Pack age D imension

0.40 M I N

0.60 M A X

Unit: mm

¡ £

20.95 M I N

21.35 M A X

0 ~ 5

N O R M A L TYPE

0.145

0.125

0.05

0.04

0.80

1.15 M A X

0.42 0.08

0.40 0.06

1.27

0.08 M I N

0.18 M A X

0.10

Dimension including the plating thickness

Base m aterial dimension

Rev 0.1 / Apr’01

1...8 9 1011

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM71VS65803CLT-5	ETC	x8 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71VS65803CLT-6	ETC	x8 EDO Page Mode DRAM	获取价格
GM71VS65803CT-5	HYNIX	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	获取价格
GM7221	ETC	视频编码器	获取价格
GM7230	GAMMA	PWM Switching Regulators	获取价格
GM7230_1	GAMMA	150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS	获取价格