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GM71VS65803CLT-6

更新时间: 2024-01-17 04:33:33
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其他 - ETC 动态存储器
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11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

GM71VS65803CLT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.81访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

GM71VS65803CLT-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
8,388,608 WORDS x 8 BIT  
CMOS DYNAMIC RAM  
D escription  
Pin Configuration  
32 SOJ / TSOP II  
T h e GM 71V ( S)65803C/ C L i s t h e n e w  
generation dynamic RA M organized 8,388,608  
w o r d s by 8bits. T h e GM 71V (S)65803C/ CL  
utilizes advanced CM O S Silicon Gate Process  
Technology as w ell as advanced circuit  
techniques for w ide operating margins, both  
i n t er n al l y and to the system u ser . Sy st em  
oriented features include single pow er supply of  
3.3V + / -10% tolerance, d i r ect i n t erfacing  
capability w ith high performance logic families  
such as Schottky TTL.  
1
2
3
32  
31  
VSS  
IO7  
VCC  
IO0  
IO1  
IO2  
IO3  
NC  
30  
IO6  
4
5
6
7
29  
28  
27  
26  
IO5  
IO4  
VSS  
VCC  
/CAS  
The GM 71V (S)65803C/ CL offers Extended  
Data Out (EDO) M ode as a high speed access  
mode.  
8
9
25  
/OE  
/WE  
/RAS  
24 NC  
10  
A0  
23 A11  
22 A10  
Features  
* 8,388,608 Words x 8 Bit  
* Extended Data Out (EDO) M ode Capability  
* Fast A ccess Tim e & Cycle Tim e  
11  
12  
A1  
A2  
A3  
A9  
21  
A8  
A7  
20  
19  
13  
14  
15  
(Unit: ns)  
A4  
A5  
t
RAC  
50  
t
A A  
t
CAC  
13  
t
RC  
t
H PC  
18 A6  
VSS  
84  
20  
25  
25  
30  
G M 71V (S)65803C/ CL-5  
G M 71V (S)65803C/ CL-6  
16  
17  
VCC  
15  
104  
60  
(Top View)  
*Pow er dissipation  
- A ctive : 522m W / 486mW(M A X)  
- Standby : 1.8 mW ( CM OS level : M A X )  
0.54mW ( L-Version : M A X)  
*EDO page mode capability  
*A ccess tim e : 50ns/ 60ns (m ax)  
*Refresh cycles  
- RA S only Refresh  
4096 cycles/ 64 m s (GM 71V65803C)  
4096 cycles/ 128m s (GM 71V S65803CL)(L_Version)  
*CBR & H idden Refresh  
4096 cycles/ 64 m s (GM 71V65803C)  
4096 cycles/ 128 m s (GM 71VS65803CL)( L-Version )  
*4 variations of refresh  
-RA S-only refresh  
-CA S-before-RA S refresh  
-H idden refresh  
-Self refresh (L-V ersion)  
*Single Pow er Supply of 3.3V+/ -10 % with a built-in VBB generator  
*Battery Back Up Operation ( L-Version )  
Rev 0.1 / Apr’01  

与GM71VS65803CLT-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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GM7221 ETC 视频编码器

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GM7230 GAMMA PWM Switching Regulators

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GM7230_1 GAMMA 150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS

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GM7230_13 GAMMA 150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS

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GM7230-12A5R GAMMA 150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS

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