5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > GM71VS65803CLJ-6
GM71VS65803CLJ-6 PDF预览

GM71VS65803CLJ-6

更新时间： 2024-01-04 13:01:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

阅读下载

获取价格

GM71VS65803CLJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0003 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71VS65803CLJ-6 数据手册

 浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71VS65803CLJ-6的Datasheet PDF文件第7页 
G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
D C Electrical Characteristics: (VCC = 3.3V+/ -10%, TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
M in M ax Unit N ote  
VO H  
Output Level  
2.4  
0
VCC  
V
V
Output Level Voltage (IOUT = -2m A )  
VOL  
ICC1  
Output Level  
0.4  
Output Level Voltage (IOUT = 2m A )  
Operating Current (tRC = tRC min)  
50ns  
60ns  
-
-
145  
135  
m A  
m A  
1,2  
Standby Current (TTL interface)  
Pow er Supply Standby Current  
(RA S, CA S= VI H , D OUT = High-Z)  
ICC2  
ICC3  
-
2
50ns  
60ns  
-
-
145  
135  
RA S-Only Refresh Current  
( tRC = tRC min)  
m A  
2
50ns  
60ns  
-
-
-
110  
100  
0.5  
ICC4  
ICC5  
Extended Data Out page M ode Current  
m A 1,3  
m A  
(RA S = VIL, CAS, A d d r ess Cycling: tHPC = tHPC min)  
CM OS interface  
(RA S, CA S>=VCC-0.2V , DOUT = High-Z)  
Standby Current(L_Version)  
-
300  
u A  
4
145  
135  
ICC6  
CA S-before-RA S Refresh Current  
(tRC = tRC min)  
50ns  
60ns  
-
-
m A  
Battery Back Up Operating Current(Standby w ith CBR)  
(tRC=31.25us,tRA S=300ns,Dout=High-Z)  
u A  
ICC7  
ICC8  
-
500  
4, 5  
Standby Current (CM O S)  
Pow er Supply Standby Current  
RA S = VI H , CA S = VIL , D OUT = Enable  
-
5
m A  
u A  
1
5
ICC9  
II(L)  
Self Refresh Current  
-
400  
5
(RA S, CA S <=0.2V,Dout=High-Z)  
Input Leakage Current, Any Input  
(0V<=VI N <=V cc)  
-5  
u A  
u A  
IO(L)  
Output Leakage Current  
-5  
5
(DOUT is Disabled, 0V<=VOUT<=V cc)  
N ote: 1. ICC depends on output load condition w hen the device is selected. ICC(max) is specified at the  
output open condition.  
2. Address can be changed once or less w hile RA S = VIL.  
3. M easured with one sequential address change per EDO cycle, tH PC.  
4. V I H >=VCC-0.2V, 0V<=VIL<=0.2V  
5. L -Version  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...11

下载PDF

与GM71VS65803CLJ-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CLT-5 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71VS65803CLT-6 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

获取价格
GM7221 ETC 视频编码器

获取价格
GM7230 GAMMA PWM Switching Regulators

获取价格
GM7230_1 GAMMA 150KHz, 3A STEP DOWN VOLTAGE SWITCHING REGULATORS

获取价格

与GM71VS65803CLJ-6相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证