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GM71VS64403ALJ-6

更新时间： 2024-01-15 12:15:11

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
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描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS64403ALJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	60 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM71VS64403ALJ-6 数据手册

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GM71V64403A

GM71VS64403AL

LG Semicon

Timing Waveforms

RAS

CSH

CRP

RCD

RSH

CAS

RAD

RAL

CAL

ASR

RAH

ASC

CAH

ADDRESS

ROW

COLUMN

RRH

RCHR

RCS

RCH

CAC

WEZ

OFF

CLZ

High-Z

DOUT

OFR

OHR

RDD

RAC

WDD

OEZ

OHO

CDD

DZC

High-Z

DIN

DZO

ODD

OAC

FIGURE 1. READ CYCLE

1...7 8 91011 12 13...25

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