5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > GM71V64403CT-5
GM71V64403CT-5 PDF预览

GM71V64403CT-5

更新时间： 2024-02-27 16:31:31
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 450K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

阅读下载

获取价格

GM71V64403CT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：NO最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71V64403CT-5 数据手册

 浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71V64403CT-5的Datasheet PDF文件第7页 
GM71V64403C  
GM71VS64403CL  
Capacitance (VCC = 3.3V+/-10%, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Typ  
Max  
Unit  
§ Ü  
§ Ü  
§ Ü  
Note  
1
-
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
5
7
7
CI2  
-
-
1
CI/O  
Output Capacitance (Data-in,Data-Out)  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. RAS, CAS = VIH to disable DOUT.  
AC Characteristics (VCC = 3.3V+/-10%, TA = 0 ~ 70C, Notes 1, 2,19)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2ns  
Input level : VIL/VIH = 0.0/3.0V  
Input timing reference levels : VIL/VIH = 0.8/2.0V  
Output timing reference levels : VOL/VOH = 0.8/2.0V  
Output load : 1 TTL gate+CL (100pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71V(S)64403C/CL-5 GM71V(S)64403C/CL-6  
Symbol  
Parameter  
Notes  
Unit  
Min  
84  
Min  
Max  
Max  
104  
-
-
t
t
RC  
RP  
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
30  
40  
-
-
8
-
10000  
10000  
-
10  
60  
10  
0
-
CAS Precharge Time  
t
CP  
50  
10000  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
10000  
8
0
CAS Pulse Width  
-
-
Row Address Set-up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
10  
0
8
-
-
0
-
10  
8
-
-
§ À  
§ À  
3
4
14  
12  
15  
12  
10  
13  
35  
5
37  
25  
-
45  
30  
-
§ À  
§ À  
§ À  
§ À  
40  
5
-
-
-
-
CAS Hold Time  
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
OE Delay Time from DIN  
15  
13  
0
-
-
-
-
§ À  
§ À  
§ À  
5
0
0
-
6
6
7
-
0
CAS Delay Time from DIN  
TransitionTime (Rise and Fall)  
Refresh Period  
50  
t
T
2
-
2
-
50  
64  
§ À  
§ Â  
§ Â  
8192  
cycles  
8192  
t
REF  
64  
-
-
Refresh Period ( L-Version )  
128  
128  
cycles  
Rev 0.1 / Apr’01  
4
1234567...25

下载PDF

与GM71V64403CT-5相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71V64403CT-6 ETC x4 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71V64803AJ-5 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71V64803AJ-6 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71V64803AT-5 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71V64803AT-6 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71V64803C(CL) ETC 8Mx8|3.3V|8K|5/6|FP/EDO DRAM - 64M

获取价格

与GM71V64403CT-5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证