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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSOP, TSOP20/26,.36 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 60 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP20/26,.36 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 反向引出线： | YES | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71C4400CLR-70 | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4400CLR-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, |
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| GM71C4400CLR-80 | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4400CLR-80 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, |
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| GM71C4400CLT | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4400CLT-60 | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4400CLT-70 | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
|
| GM71C4400CLT-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, |
|
| GM71C4400CLT-80 | LG |
获取价格 |
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
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| GM71C4400CLZ-60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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