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GM71C4263DR-60

更新时间: 2024-01-12 20:10:54
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1767K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

GM71C4263DR-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
Is Samacsys:N最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71C4263DR-60 数据手册

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