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GM71C4256ALSJ-10

更新时间: 2024-02-29 05:32:42
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 1024K
描述
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM

GM71C4256ALSJ-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J20JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ20/26,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM71C4256ALSJ-10 数据手册

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