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GM71C18163C

更新时间： 2022-12-13 07:01:54

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海力士 - HYNIX		/
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11页	114K
描述
1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C18163C 数据手册

GM71C18163C

GM71CS18163CL

EDO Page Mode Cycle

GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163

C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7

Unit

Note

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min Max

HPC

EDO Page Mode Cycle Time

100,000

EDO Page Mode RAS Pulse Width

Access Time from CAS Precharge

RAS Hold Time from CAS Precharge

tRASP

9,17,22

tACP

tRHCP

tDOH

Output data Hold Time from CAS low

CAS Hold Time referred OE

CAS to OE Setup Time

COL

COP

Read command Hold Time

from CAS Precharge

RCHP

EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle

GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163

C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7

Unit Note

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min Max

HPRWC

EDO Page Mode Read-Modify-Write

Cycle Time

14,22

tCPW

WE Delay Time from CAS Precharge

Refresh

GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163

C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7

Unit

Note

Symbol

Parameter

Min Max Min Max Min Max

1024

cycles

REF

Refresh period

1024

cycles

REF

Refresh period (L -Series)

128

Rev 0.1 / Apr’01

1...5 6 789 10 11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GM71C18163C-6	HYNIX	1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM	获取价格
GM71C18163C-7	HYNIX	1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM	获取价格
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GM71C18163CJ-6	HYNIX	x16 EDO Page Mode DRAM	获取价格