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Datasheet > 存储 > DRAM> GM71C17800CLJ-7
GM71C17800CLJ-7 PDF预览

GM71C17800CLJ-7

更新时间： 2024-01-15 05:19:29
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 94K
描述
2,097,152 WORDS x 8 BIT CMOS DYNAMIC RAM

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GM71C17800CLJ-7 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.37
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J28长度：18.17 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

GM71C17800CLJ-7 数据手册

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GM71C17800C  
GM71CS17800CL  
Capacitance (VCC = 5V+/-10%, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-In/Out)  
Min  
Max  
Unit  
pF  
Note  
1
-
-
-
5
7
7
CI2  
pF  
1
CI/O  
pF  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ +70C, Vss = 0V, Note 1, 2, 18)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 5 ns  
Input timing reference levels : 0.8V, 2.4V  
Output timing reference levels : 0.4V, 2.4V  
Output load : 2TTL gate + CL (100 pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71C(S)17800 GM71C(S)17800 GM71C(S)17800  
C/CL-5  
C/CL-6  
C/CL-7  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
90  
30  
-
-
110  
40  
-
-
130  
50  
-
-
ns  
ns  
t
RC  
tRP  
CAS Precharge Time  
7
-
10  
60  
-
10  
70  
-
ns  
ns  
t
CP  
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
50 10,000  
10,000  
10,000  
t
CAS Pulse Width  
13 10,000 15 10,000 18 10,000 ns  
t
Row Address Set up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
0
7
0
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
ns  
ns  
t
t
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
7
17  
12  
13  
50  
5
-
45  
30  
-
10  
15  
20 45  
15 30  
20 52  
15 35  
3
4
t
t
t
15  
60  
5
-
-
18  
70  
5
-
-
CAS Hold Time  
-
t
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
-
-
-
t
t
13  
0
-
15  
0
-
18  
0
-
5
6
6
7
t
OE Delay Time from DIN  
CAS Delay Time from DIN  
Transition Time (Rise and Fall)  
-
-
-
0
-
0
-
0
-
t
tT  
3
50  
3
50  
3
50  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...9

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