5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> GM71C17800CLJ-7
GM71C17800CLJ-7 PDF预览

GM71C17800CLJ-7

更新时间： 2024-01-12 13:43:08
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 94K
描述
2,097,152 WORDS x 8 BIT CMOS DYNAMIC RAM

阅读下载

获取价格

GM71C17800CLJ-7 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.37
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J28长度：18.17 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

GM71C17800CLJ-7 数据手册

 浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71C17800CLJ-7的Datasheet PDF文件第7页 
GM71C17800C  
GM71CS17800CL  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5V+/-10%, Vss = 0V, TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
Min Max Unit Note  
V
OH  
Output Level  
Output "H" Level Voltage (IOUT = -5mA)  
2.4  
0
V
CC  
V
V
Output Level  
Output "L" Level Voltage (IOUT = 4.2mA)  
V
OL  
0.4  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
110  
100  
Operating Current  
Average Power Supply Operating Current  
(RAS, CAS Cycling: tRC = tRC min)  
I
CC1  
mA  
mA  
mA  
1, 2  
90  
I
I
CC2  
CC3  
Standby Current (TTL)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS = VIH, DOUT = High-Z)  
-
2
50ns  
60ns  
70ns  
50ns  
60ns  
-
-
-
110  
100  
RAS Only Refresh Current  
Average Power Supply Current  
RAS Only Refresh Mode  
(tRC = tRC min)  
2
90  
100  
90  
I
CC4  
-
-
Fast Page Mode Current  
Average Power Supply Current  
Fast Page Mode  
mA  
1, 3  
(tPC = tPC min)  
70ns  
-
-
-
85  
I
CC5  
CC6  
Standby Current (CMOS)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS >= VCC - 0.2V, Dout = High-Z)  
1
mA  
uA  
150  
5
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
110  
100  
I
CAS-before-RAS Refresh Current  
(tRC = tRC min)  
mA  
uA  
90  
Battery Back Up Operating Current  
(Standby with CBR Refresh)  
(tRC=62.5us, tRAS<=0.3us, DOUT=High-Z)  
I
CC7  
CC8  
-
500  
4,5  
I
Standby Current RAS = VIH  
CAS = VIL  
-
-
5
mA  
uA  
1
5
D
OUT = Enable  
Self-Refresh Mode Current  
(RAS, CAS<=0.2V, DOUT=High-Z)  
ICC9  
300  
I
L(I)  
Input Leakage Current  
Any Input (0V<=VIN<= 6V)  
-10  
-10  
10  
10  
uA  
uA  
IL(O)  
Output Leakage Current  
(DOUT is Disabled, 0V<=VOUT<= 6V)  
Note: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected.  
CC(max) is specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL  
I
.
3. Address can be changed once or less while CAS = VIH  
4. CAS = L (<=0.2) while RAS = L (<=0.2).  
5. L-version.  
.
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...9

下载PDF

与GM71C17800CLJ-7相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71C17800CT-5 HYNIX x8 Fast Page Mode DRAM

获取价格
GM71C17800CT-6 HYNIX x8 Fast Page Mode DRAM

获取价格
GM71C17800CT-7 HYNIX x8 Fast Page Mode DRAM

获取价格
GM71C17803BJ-6 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71C17803BJ-7 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格
GM71C17803BJ-8 ETC x8 EDO Page Mode DRAM

获取价格

与GM71C17800CLJ-7相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证