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GI918 PDF预览

GI918

更新时间： 2024-02-08 03:00:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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GI918 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.75 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GI918 数据手册

 浏览型号GI918的Datasheet PDF文件第2页 
GI910 thru GI917  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Medium-Switching Plastic Rectifier  
Reverse Voltage 500 to 800 V  
Forward Current 3.0 A  
DO-201AD  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratories  
Flammability Classification 94V-0  
• High surge current capability  
• Construction utilizes void-free molded plastic technique  
• High forward current operation  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.210 (5.3)  
• Fast switching for high efficiency  
0.190 (4.8)  
DIA.  
• High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-201AD, molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
0.052 (1.32)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.048 (1.22)  
DIA.  
Weight: 0.04 oz., 1.1 g  
Packaging codes/options:  
1/Bulk - 1.5K per container, 15K per box  
4/1.4K per 13" reel, 5.6K per box  
23/1K per Ammo. mag., 9K per box  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
VDC  
GI910  
GI911  
100  
70  
GI912  
GI914  
GI916  
GI918  
Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
200  
400  
600  
800  
V
35  
140  
280  
420  
560  
V
Maximum DC blocking voltage  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
V
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at TA=90°C  
IF(AV)  
3.0  
A
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
100  
A
Typical thermal resistance (1)  
RΘJA  
RΘJL  
22  
8.0  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-50 to +150  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
GI910  
GI911  
GI912  
GI914  
GI916  
GI918  
Unit  
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A  
1.25  
1.10  
VF  
V
9.4A, TJ=175°C  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=100°C  
10  
300  
IR  
trr  
IRM(REC)  
CJ  
µA  
Maximum reverse recovery time at  
IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A/µs, Irr=10% IRM  
750  
ns  
Maximum reverse recovery time at  
IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A/µs, Irr=10% IRM  
2.0  
28  
A
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
pF  
Notes: (1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375” (9.5mm) lead length, with both leads equally heat sink  
Document Number 88631  
22-Mar-02  
www.vishay.com  
1
12

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与GI918相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GI918/1 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM),
GI918/23 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM),
GI918/4 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM),
GI918-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
GI9435 GTM

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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