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GIB1402/81

更新时间： 2024-11-26 14:42:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263AB, 3 PIN

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GIB1402/81 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GIB1402/81 数据手册

 浏览型号GIB1402/81的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GIB1402/81的Datasheet PDF文件第3页 
GIB1401 thru GIB1404  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ultrafast Plastic Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 200V  
Forward Current 8.0A  
TO-263AB  
0.42  
(10.66)  
0.190 (4.83)  
0.160 (4.06)  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.245 (6.22)  
MIN  
Mounting  
0.33  
Pad Layout  
(8.38)  
K
0.63  
(17.02)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.591 (15.00)  
K
1
2
0-0.01 (0-0.254)  
0.110 (2.79)  
0.090 (2.29)  
0.08  
(2.032)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
0.021 (0.53)  
0.014 (0.36)  
0.12  
(3.05)  
PIN 1  
PIN 2  
0.24  
(6.096)  
K - HEATSINK  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
Features  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• Glass passivated chip junction  
• Low power loss • Low leakage current  
• High surge capability  
• Superfast recovery time for high efficiency  
• High temperature soldering in accordance with  
CECC 802 / Reflow guaranteed  
Mechanical Data  
Case: JEDEC TO-263AB molded plastic body  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: As marked Mounting Position: Any  
Weight: 0.05 oz., 1.35 g  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol GIB1401  
GIB1402  
GIB1403  
GIB1404  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
150  
200  
70  
105  
140  
V
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 125°C  
100  
150  
200  
V
IF(AV)  
8.0  
A
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
125  
A
Typical thermal resistance (Note 1)  
RΘJC  
2.25  
°C/W  
°C  
Operating and storage temperature range  
TJ, TSTG  
–65 to +150  
Electrical Characteristics(TC = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol GIB1401 GIB1402  
GIB1403  
GIB1404  
Unit  
Maximum instantaneous  
forward voltage at:  
IF = 4A, TJ = 25°C  
IF = 8A, TJ = 25°C  
IF = 4A, TJ = 100°C  
IF = 8A, TJ = 100°C  
0.900  
0.975  
0.800  
0.895  
VF  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage at:  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
5.0  
150  
IR  
µA  
Maximum reverse recovery time at  
IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A  
trr  
35  
85  
ns  
Typical junction capacitance at 4V, 1MHZ  
CJ  
pF  
Notes:(1) Thermal resistance from junction to case mounted on heatsink  
Document Number 88632  
22-Mar-02  
www.vishay.com  
1
123

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与GIB1402/81相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GIB1402-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P
GIB1402-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
GIB1402-E3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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