Datasheet > GI916/73

GI916/73

更新时间： 2024-11-23 14:42:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	297K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GI916/73 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.75 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GI916/73 数据手册

GI910 thru GI917

Vishay General Semiconductor

Medium-Switching Plastic Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

3.0 A

50 V to 800 V

100 A

750 ns

I_R

10 µA

V_F

1.25 V

DO-201AD

T_jmax.

150 °C

Features

Mechanical Data

• Fast switching for high efficiency

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

Case: DO-201AD, molded epoxy body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-

able per J-STD-002B and JESD22-B102D

Polarity: Color band denotes cathode end

• High forward surge capability

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Typical Applications

For use in fast switching rectification of power supply,

inverters, converters and freewheeling diodes for

consumer and Telecommunication.

(Note: These devices are not Q101 qualified. There-

fore, the devices specified in this datasheet have not

been designed for use in automotive or Hi-Rel appli-

cations.)

Maximum Ratings

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_RRM

GI910

GI911

100

GI912

200

GI914

400

GI916

600

GI917

800

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

140

200

280

400

420

600

560

800

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current 0.375"

(9.5 mm) lead length at T_A= 90 °C

I_F(AV)

3.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

I_FSM

100

Operating junction and storage temperature range T_J,T_STG

- 50 to + 150

°C

Document Number 88631

10-Oct-05

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与GI916/73相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GI916/91	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI916/93	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI916-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
GI917	VISHAY	获取价格	MEDIUM-SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
GI917/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI917/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI917/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI917/4H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI917/51	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GI917/53	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

与GI916/73相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GI916/73

GI916/73 技术参数

GI916/73 数据手册

与GI916/73相关器件

与GI916/73相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GI916/73

GI916/73 技术参数

GI916/73 数据手册

与GI916/73相关器件

与GI916/73相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？