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GI911/53

更新时间： 2024-01-25 02:26:46

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威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	302K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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GI911/53 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.92	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.75 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GI911/53 数据手册

GI910 thru GI917

Vishay General Semiconductor

100

TJ = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50mVp-p

TJ = 25 °C

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

100

Reverse Voltage (V)

Instantaneous Forward Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

TJ = 100 °C

T^J= 50 °C

0.1

T^J= 25 °C

0.01

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-201AD

1.0 (25.4)

Min.

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

Dia.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

Min.

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

Dia.

Document Number 88631

10-Oct-05

www.vishay.com

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