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GI912

更新时间： 2024-02-28 21:44:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
MEDIUM-SWITCHING PLASTIC RECTIFIER

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GI912 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.25 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.75 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

GI912 数据手册

 浏览型号GI912的Datasheet PDF文件第2页 
GI910 THRU GI917  
MEDIUM-SWITCHING PLASTIC RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 800 Volts  
Forward Current - 3.0 Amperes  
DO-201AD  
FEATURES  
♦ Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
♦ High surge current capability  
♦ Construction utilizes void-free molded plastic technique  
♦ High forward current operation  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.210 (5.3)  
♦ Fast switching for high efficiency  
0.190 (4.8)  
DIA.  
♦ High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-201AD molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.052 (1.32)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.048 (1.22)  
DIA.  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.04 ounce, 1.1 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
GI910  
50  
GI911  
100  
70  
GI912  
200  
140  
200  
GI914  
400  
280  
400  
GI916  
600  
420  
600  
GI917  
800  
560  
800  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
35  
Maximum DC blocking voltage  
50  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at TA=90°C  
I(AV)  
3.0  
Amps  
Amps  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
100.0  
Maximum instantaneous forward voltage at:  
3.0A  
9.4A, TJ=175°C  
1.25  
1.10  
VF  
IR  
Volts  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=100°C  
10.0  
300.0  
µA  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
trr  
28.0  
750  
2.0  
pF  
ns  
Maximum reverse recovery time (NOTE 2)  
Maximum reverse recovery current  
Typical thermal resistance (NOTE 3)  
IRM(REC)  
Amps  
RΘJA  
RΘJL  
22.0  
8.0  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ ,TSTG  
-50 to +150  
NOTES:  
(1) Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts  
(2) Reverse recovery test conditions: IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A/µs, and Irr=10% IRM for measurement of trr  
(3) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length,  
both leads equally heat sink  
4/98  
12

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