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GI911/65

更新时间： 2024-11-19 19:37:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 302K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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GI911/65 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.75 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GI911/65 数据手册

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GI910 thru GI917  
Vishay General Semiconductor  
Medium-Switching Plastic Rectifier  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
3.0 A  
50 V to 800 V  
100 A  
750 ns  
IR  
10 µA  
VF  
1.25 V  
DO-201AD  
Tj max.  
150 °C  
Features  
Mechanical Data  
• Fast switching for high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-  
able per J-STD-002B and JESD22-B102D  
Polarity: Color band denotes cathode end  
• High forward surge capability  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters and freewheeling diodes for  
consumer and Telecommunication.  
(Note: These devices are not Q101 qualified. There-  
fore, the devices specified in this datasheet have not  
been designed for use in automotive or Hi-Rel appli-  
cations.)  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
GI910  
50  
GI911  
100  
GI912  
200  
GI914  
400  
GI916  
600  
GI917  
800  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current 0.375"  
(9.5 mm) lead length at TA = 90 °C  
IF(AV)  
3.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-  
wave superimposed on rated load  
IFSM  
100  
A
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG  
- 50 to + 150  
°C  
Document Number 88631  
10-Oct-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与GI911/65相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GI911/66 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
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