GF1M

更新时间： 2024-01-25 05:05:45

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EIC		整流二极管光电二极管
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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION

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GF1M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMA, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	2 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GF1M 数据手册

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON SURFACE MOUNT

SMA (DO-214AC)

GF1A - GF1M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

1.1 ± 0.3

FEATURES :

* Glass passivated chip

* High current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

0.2 ± 0.07

1.2 ± 0.2

2.1 ± 0.2

2.6 ± 0.15

2.0 ± 0.2

MECHANICAL DATA :

* Case : SMA Molded plastic

Dimensions in millimeter

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.067 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load, derate current by 20%

RATING

SYMBOL

UNIT

GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

V^RMS

V^DC

100

200

140

200

400

280

400

1.0

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum DC Blocking Voltage

100

I^F(AV)

Maximum Average Forward Current Ta = 75 °C

Peak Forward Surge Current

I^FSM

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I^F= 1.0 Amp.

I^R

1.0

5.0

2.0

Maximum DC Reverse Current Ta = 25 °C

μA

μs

°C

I^R(H)

Trr

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 100 °C

Typical Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Typical Junction Capacitance (Note2)

Junction Temperature Range

C^J

T^J

- 65 to + 150

Storage Temperature Range

T^STG

Notes :

(1) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC

Page 1 of 2

Rev. 03 : October 14, 2005

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GF1M 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
US1MHE3_A/H	VISHAY	功能相似	暂无描述
ES1M-TP	MCC	功能相似	1 Amp Ultra Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts
CD214A-R11000	BOURNS	功能相似	CD214A-R150~R11600 Glass Passivated Rectifiers

与GF1M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GF1M/2JA	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN
GF1M_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
GF1ME3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
GF1M-E3/5CA	VISHAY	获取价格	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R
GF1M-E3/67A	VISHAY	获取价格	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R
GF1M-E3-5CA	VISHAY	获取价格	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
GF1M-E3-67A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
GF1MHE3/5CA	VISHAY	获取价格	STD RECOVERY RECTFR 1KV 1A - Tape and Reel
GF1M-HE3/5CA	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, S
GF1MHE3/67A	VISHAY	获取价格	STD RECOVERY RECTFR 1KV 1A 2PIN DO-214BA - Tape and Reel

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