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GF1K PDF预览

GF1K

更新时间： 2024-02-01 12:53:08
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
General Purpose Rectifiers (Glass Passivated)

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GF1K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.42
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：1.8 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GF1K 数据手册

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GF1A - GF1M  
Features  
• Low forward voltage drop.  
• High current capability.  
• Easy pick and place.  
• High surge current capability.  
SMA/DO-214AC  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
General Purpose Rectifiers (Glass Passivated)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
1A 1B 1D 1G 1J 1K  
1M  
VRRM  
IF(AV)  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
50 100 200 400 600 800 1000  
V
A
Average Rectified Forward Current,  
@ TL = 125°C  
1.0  
IFSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
Storage Temperature Range  
30  
A
-65 to +175  
-65 to +175  
°C  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
1.8  
80  
26  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
Thermal Resistance, Junction to Lead*  
RθJA  
RθJL  
°C/W  
°C/W  
*Device mounted on PCB with 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad areas.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Device  
Units  
1A  
1B  
1D  
1.0  
1G  
1J  
1K 1M  
VF  
trr  
Forward Voltage @ 1.0 A  
1.2  
V
Reverse Recovery Time  
2.0  
s
µ
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
IR  
5.0  
50  
µA  
Reverse Current @ rated VR  
TA = 25°C  
T = 125 C  
A
µ
°
A
CT  
Total Capacitance  
15  
pF  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
GF1A-GF1M, Rev. G  
123

中文翻译

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GF1K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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与GF1K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GF1K-E3/5CA VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
GF1KHE3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal
GF1K-HE3 VISHAY

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GF1KHE3/5CA VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
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GF1K-HE3/67A VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si
GF1KS LGE

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 		GPP SURFACE MOUNT RECTIFIER
GF1L0C-P05QJ00-0000 ETC

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