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GDZ3V6B

更新时间: 2024-11-14 18:05:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
DIODE 3.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

GDZ3V6B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.6 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GDZ3V6B 数据手册

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GDZ-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon Planar Power Zener Diodes  
• Low Zener impedence and low leakage current  
• Popular in Asian designs  
• Compact surface mount device  
• Ideal for automated mounting  
17431  
Mechanical Data  
Case: SOD-323 Plastic case  
Weight: approx. 5.0 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18/ 10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08/ 3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
mW  
Power dissipation  
P
d
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
- 55 to + 150  
stg  
Document Number 85766  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
1

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