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GD50TPT120C6S

更新时间： 2024-04-09 18:59:10

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GD50TPT120C6S 数据手册

GD50TPT120C6S

IGBT Module

120

100

IGBT

Module

0.1

R_G=15Ω

r_i[K/W]: 0.0296 0.1629 0.1582 0.1432

τ_i[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1

V_GE=±15V

T_j=150^oC

0.01

200 400 600 800 100012001400

V_CE[V]

0.001

0.01

0.1

t [s]

Fig 5. RBSOA

Fig 6. IGBT Transient Thermal Impedance

100

4.5

E_rec

3.5

2.5

150^oC

V_CC=600V

R_G=15Ω

1.5

V_GE=-15V

T_j=150^oC

25^oC

0.5

0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4

V_F[V]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I_F[A]

Fig 7. Diode Forward Characteristics

Fig 8. Diode Switching Loss vs. I_F

11/7/2014 6/9 IN01

1...3 4 567 8 9

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