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GD50TPT120C6S

更新时间: 2024-04-09 18:59:10
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斯达半导体 - STARPOWER /
页数 文件大小 规格书
9页 430K
描述
C6.5.12-Pack

GD50TPT120C6S 数据手册

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GD50TPT120C6S  
IGBT Module  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
VGE=15V  
25oC  
VCE=20V  
25oC  
150oC  
150oC  
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4  
VCE [V]  
5
6
7
8
9
10 11 12 13  
VGE [V]  
Fig 1. IGBT Output Characteristics  
Fig 2. IGBT Transfer Characteristics  
14  
16  
14  
12  
10  
8
VCC=600V  
IC=50A  
VGE=±15V  
Tj=150oC  
VCC=600V  
RG=15Ω  
VGE=±15V  
Tj=150oC  
Eon  
12  
10  
8
Eon  
6
Eoff  
6
Eoff  
4
4
2
2
0
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
IC [A]  
0
20 40 60 80 100 120 140  
RG [Ω]  
Fig 3. IGBT Switching Loss vs. IC  
Fig 4. IGBT Switching Loss vs. RG  
11/7/2014 5/9 IN01  
©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.  

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