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GD1200SGL170C3S

更新时间: 2024-04-09 19:01:38
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斯达半导体 - STARPOWER /
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6页 483K
描述
C3.0-Single

GD1200SGL170C3S 数据手册

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GD1200SGL170C3S  
IGBT Module  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
Weight  
Parameter  
Typ .  
Max.  
19.2  
30.7  
Units  
K/kW  
K/kW  
K/kW  
g
Junction-to-Case (per IGBT)  
Junction-to-Case (per Diode)  
Case-to-Sink (Conductive grease applied)  
Weight of Module  
6
1500  
©2012 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
2/16/2012  
4/6  
Preliminary  

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