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GD100HFT120C1S_G8

更新时间： 2024-04-09 18:59:25

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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C1.0.Half Bridge

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GD100HFT120C1S_G8 数据手册

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GD100HFT120C1S_G8

IGBT Module

8

7.5

7

1

V_CC=600V

I_F=100A

Diode

V_GE=-15V

T_j=125^oC

E_re

6.5

6

0.1

i:

r_i[K/W]: 0.0278 0.1534 0.1490 0.1348

τ_i[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1

1

2

3

4

5.5

5

0.01

0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48

0.001

0.01

0.1

t [s]

1

10

R_G[Ω]

Fig 9. Diode Switching Loss vs. R_G

Fig 10. Diode Transient Thermal Impedance

©2015 STARPOWER Semiconductor Ltd.

1/14/2015

7/9

RN0A

1...4 5 678 9

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