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GD100HFT120C1S_G8

更新时间： 2024-04-09 18:59:25

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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C1.0.Half Bridge

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GD100HFT120C1S_G8

IGBT Module

220

200

180

160

140

120

100

IGBT

Module

0.1

0.01

0.001

R_G=4.7Ω

V_GE=±15V

T_j=125^oC

r_i[K/W]: 0.0166 0.0917 0.0891 0.0806

τ_i[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1

350

700

1050

1400

0.001 0.01

0.1

t [s]

V_CE[V]

Fig 5. RBSOA

Fig 6. IGBT Transient Thermal Impedance

200

175

150

125

100

E_rec

125^oC

V_CC=600V

R_G=4.7Ω

V_GE=-15V

T_j=125^oC

25^oC

0.5

1.5

2.5

25 50 75 100 125 150 175 200

I_F[A]

V_F[V]

Fig 7. Diode Forward Characteristics

Fig 8. Diode Switching Loss vs. I_F

1/14/2015 6/9 RN0A

1...3 4 567 8 9

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