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GD100FFY120C5S

更新时间: 2024-04-09 19:03:04
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斯达半导体 - STARPOWER /
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9页 229K
描述
C5.2-3 Phase Bridge with NTC

GD100FFY120C5S 数据手册

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GD100FFY120C5S  
IGBT Module  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
1
Module  
IGBT  
0.1  
60  
RG=1.6Ω  
VGE=±15V  
Tj=150oC  
i:  
ri[K/W]: 0.0176 0.0967 0.0937 0.0850  
τi[s]: 0.01 0.02 0.05 0.1  
1
2
3
4
40  
20  
0
0.01  
0
350  
700  
1050  
1400  
0.001  
0.01  
0.1  
t [s]  
1
10  
VCE [V]  
Fig 5. RBSOA  
Fig 6. IGBT Transient Thermal Impedance  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
9
Tj=25℃  
Tj=125℃  
Tj=150℃  
Erec Tj=125℃  
8
Erec Tj=150℃  
7
6
5
4
3
50  
VCC=600V  
RG=1.6Ω  
2
VGE=-15V  
25  
1
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
IF [A]  
VF [V]  
Fig 7. Diode Forward Characteristics  
©2017 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
Fig 8. Diode Switching Loss vs. IF  
12/6/2017 6/9 SN0D  

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