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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 最小击穿电压： | 60 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 10% | 最小二极管电容比： | 7 |
| 标称二极管电容： | 39 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 600 | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 0.02 µA | 反向测试电压： | 55 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 变容二极管分类： | ABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GC1770B | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S |
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| GC1770BCHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S |
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| GC1770C | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S |
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| GC1770CCHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S |
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| GC1770CHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S |
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| GC1800A-30 | MICROSEMI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt |
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| GC1801-30 | MICROSEMI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt, |
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| GC1803-30 | MICROSEMI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt, |
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| GC1804-30 | MICROSEMI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt, |
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| GC1806-30 | MICROSEMI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt, |
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