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GBU6M

更新时间: 2024-02-01 13:42:05
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 225K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

GBU6M 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks风险等级:5.56
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压:1000 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:175 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

GBU6M 数据手册

 浏览型号GBU6M的Datasheet PDF文件第2页 
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Values  
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Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
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Mechanical Data  
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Values  
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Dimensions in mm  
1
23-03-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

GBU6M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBU6M-E3/51 VISHAY

功能相似

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6M-BP MCC

功能相似

6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU610 DIODES

功能相似

6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

与GBU6M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU6M/72-E3 VISHAY

获取价格

DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU6M-BP MCC

获取价格

6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU6M-BP-HF MCC

获取价格

Bridge Rectifier Diode,
GBU6M-E3/22 VISHAY

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
GBU6M-E3/45 VISHAY

获取价格

Diode Rectifier Bridge Single 1KV 6A 4-Pin Case GBU Tube
GBU6M-E3/51 VISHAY

获取价格

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6M-E3/72 VISHAY

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM),
GBU6MS MCC

获取价格

GBU800 FCI

获取价格

8.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge
GBU8005 FORMOSA

获取价格

SURFACE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER