GBU6M

更新时间： 2024-02-01 10:38:37

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美微科 - MCC		二极管局域网
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3页	176K
描述
6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts

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GBU6M 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	175 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

GBU6M 数据手册

GBU6A

THRU

GBU6M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

6 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifier

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Glass Passivated Chip Junction

•

High Surge Overload Rating

Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

50 to 1000 Volts

Maximum Ratings

GBU

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

•

Typical Thermal Resistance 2.2°C/W Junction to Case

UL Recognized File # E165989

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

Maximum

MCC

Device

Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

Part Number Marking

Case Style

3.2x45

GBU6A

GBU6B

GBU6D

GBU6G

GBU6J

GBU6K

GBU6M

GBU6A

GBU6B

GBU6D

GBU6G

GBU6J

GBU6K

GBU6M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

1.90 RADIUS

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

21.80

18.30

3.30

17.50

0.76

0.46

Average Forward

Current

I_F(AV)

6 A

Tc = 100°C

DIM

MIN

.860

.720

.130

.690

.030

.018

MAX

.880

.740

.140

.710

.039

.022

MAX

22.30

18.80

3.56

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

175A 8.3ms, half sine

18.00

1.00

0.56

7.90

4.10

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

I²t Rating for fusing

IFM=3A

1.0V

.290

.140

.310

.160

7.40

3.50

V_F

T_J= 25°C

.065

.089

.077

.040

.190

.085

.108

.093

.050

.210

1.65

2.25

1.95

1.02

4.83

2.16

2.75

2.35

1.27

5.33

I²t

I_R

127A²S

(t<8.3ms)

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

7.0 TYPICAL

5 µA

500uA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

50pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 6

2008/03/24

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU6M/72-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU6M-BP	MCC	获取价格	6 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU6M-BP-HF	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU6M-E3/22	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
GBU6M-E3/45	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 1KV 6A 4-Pin Case GBU Tube
GBU6M-E3/51	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU6M-E3/72	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM),
GBU6MS	MCC	获取价格
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