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GBU4B

更新时间： 2024-01-11 08:35:44
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管IOT局域网
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
4.0 Ampere Bridge Rectifiers

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GBU4B 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.02
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GBU4B 数据手册

 浏览型号GBU4B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GBU4B的Datasheet PDF文件第3页 
GBU4A - GBU4M  
0.125 X 45O  
(3.2) Typ  
0.880 (22.3)  
0.860 (21.8)  
0.020 R  
TYP  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.5)  
0.310 (7.9)  
0.290 (7.4)  
Features  
+
+
0.740 (18.8)  
0.720 (18.3)  
0.085 (2.16)  
0.065 (1.65)  
0.075 R  
(1.9)  
• Surge overload rating: 150 amperes peak.  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
+
~
~
0.080 (2.03)  
0.060 (1.52)  
0.710 (18.0)  
0.690 (17.5)  
• Ideal for printed circuit board.  
0.100 (2.54)  
0.085 (2.16)  
GBU  
0.080 (2.03)  
0.065 (1.65)  
0.050 (1.27)  
0.040 (1.02)  
0.050 (1.3)  
0.040 (1.0)  
Dimensions are in:  
inches (mm)  
0.210 (5.3)  
0.190 (4.8)  
4.0 Ampere Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
4.0  
3.0  
A
A
Average Rectified Current  
@ TA = 100°C  
@ TA = 40°C  
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
150  
A
PD  
6.9  
55  
19  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
4A  
50  
35  
50  
4B  
100  
70  
4D  
200  
140  
200  
4G  
400  
280  
400  
4J  
4K  
4M  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Input Voltage  
600  
420  
600  
800 1000  
560 700  
800 1000  
V
V
V
100  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage, per element  
5.0  
500  
A
A
µ
µ
@ rated VR  
T = 25 C  
°
A
T = 125 C  
°
A
Maximum Forward Voltage Drop, per element  
@ 4.0 A  
1.0  
93  
V
I2t rating for fusing  
t < 8.35 ms  
A2Sec  
GBU4A-GBU4M, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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GBU4B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBU4B-E3/51 VISHAY

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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