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GBU10M

更新时间： 2024-01-19 14:51:53

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2页	151K
描述
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 10 A

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GBU10M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

GBU10M 数据手册

SIYU

GBU10A ...... GBU10M

Single-phase Silicon Bridge Rectifier

Reverse Voltage 50 to 1000V

Forward Current 10 A

塑封硅整流桥堆

反向电压50---1000V

正向电流10 A

特征 Features

GBU

·反向漏电流低 Low reverse leakage

·正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability

·浪涌承受能力：150A Surge overload rating: 150 Amperes peak

·引线和管体皆符合RoHS标准。

Lead and body according with RoHS standard

机械数据 Mechanical Data

封装

塑料封装 Case: Molded Plastic

极性

标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body

Unit：inch（mm）

安装位置

任意 Mounting Position: Any

推荐值0.3 Mounting torque：Recommend 0.3 N*m

安装扭距

牛*米

极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

符号

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

单位

Symbols

Unit

10A 10B 10D 10G

10J 10K 10M

最大可重复峰值反向电压

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RMS

100

200

400

600

800

1000

最大均方根电压

Maximum RMS voltage

140

200

280

400

420

600

560

800

700

最大直流阻断电压

Maximum DC blocking voltage

V_DC

I_F(AV)

I_FSM

100

1000

TC =100

℃

最大正向平均整流电流

Maximum average forward rectified current

峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

150

℃/W

8.6

典型热阻 Typical thermal resistance

R_θJA

工作结温和存储温度

Tj, TSTG

-55--- +150

℃

Operating junction and storage temperature range

电特性 TA = 25

℃除非另有规定。

Electrical Characteristics Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

符号

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

单位

Symbols

10A 10B 10D 10G

10J 10K 10M

Unit

最大正向电压

Maximum forward voltage

I_F= 5.0A

1.1

V_F

I_R

500

最大反向电流

TA= 25

℃

μA

TA = 125

℃

Maximum reverse current

典型结电容 VR

= 4.0V, f = 1MHz

Type junction capacitance

大昌电子 DACHANG ELECTRONICS

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