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GBU10MP

更新时间： 2024-01-04 10:25:09

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
DIODE 10 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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GBU10MP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, GBU, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	Base Number Matches：	1

GBU10MP 数据手册

GBU10A

THRU

GBU10M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

10 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifiers

50 to 1000 Volts

xꢀ Glass Passivated Chip junction

xꢀ High Surge Overload Rating

xꢀ UL Recognized File # E165989

xꢀ

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Marking : type number

Maximum Ratings

GBU

xꢀ Operating Temperature: -55к to +150к

xꢀ Storage Temperature: -55к to +150к

xꢀ Typical Thermal Resistance:2.2к/W Junction to Case(Heatsink)

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

Voltage

MCC

Maximum

3.2x45

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

GBU10A

GBU10B

GBU10D

GBU10G

GBU10J

GBU10K

GBU10M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

1.90 RADIUS

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

(with heatsink Note

T_C= 100к

I_F(AV)

10 A

DIMENSIONS

INCHES

MIN

21.80

18.30

3.30

17.50

0.76

0.46

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

DIM

MIN

.860

.720

.130

.690

.030

.018

.290

.140

.065

.089

.077

.040

.190

MAX

.880

.740

.140

.710

.039

.022

.310

.160

MAX

22.30

18.80

3.56

NOTE

I_FSM

200A

1.1V

8.3ms, half sine

18.00

1.00

0.56

7.90

4.10

2.16

2.75

2.35

1.27

5.33

At 5A DC

V_F

7.40

3.50

T_A= 25к

5.0uA

500uA

.085

.108

.093

.050

.210

1.65

2.25

1.95

1.02

4.83

I_R

T_A= 125к

Typical Junction

Capacitance

I²t Rating for Fusing

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

200A²S t<8.3ms

C_J

I²t

70pF

7.0 TYPICAL

Note:1.Device mounted on 100mm × 100mm × 1.6mm Cu Plate

Heatsink

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 4

2007/01/16

12 3

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与GBU10MP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU10MS	MCC	获取价格
GBU10M-T	DIOTEC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU10V06	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU10V06(LS)	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU10V08	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU10V08(LS)	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU125005	YANGJIE	获取价格	SINGLE PHASE 10/15/25/35AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU12501	YANGJIE	获取价格	SINGLE PHASE 10/15/25/35AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU12502	YANGJIE	获取价格	SINGLE PHASE 10/15/25/35AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU12504	YANGJIE	获取价格	SINGLE PHASE 10/15/25/35AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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