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GBP210SB1

更新时间： 2024-11-25 15:42:59
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 565K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon,

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GBP210SB1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBP210SB1 数据手册

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RoHS  
GBP2005S THRU GBP210S  
Bridge Rectifiers  
COMPLIANT  
Features  
● UL recognition, file #E230084  
● Ideal for printed circuit boards  
● High surge current capability  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Typical Applications  
General purpose use in AC/DC bridge full wave  
rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching  
mode power supply, adapter, audio equipment, and home  
appliances applications.  
Mechanical Data  
●
ackage: GBP  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
As marked on body  
Polarity:  
-
+
~
~
(T =25℃ Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S  
Device marking code  
V
Repetitive peak reverse voltage  
V
A
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
RRM  
With heatsink  
Average rectified output  
current @60Hz sine wave,  
R-load  
T =130℃  
c
I
O
2.0  
50  
Without heatsink  
T =70℃  
c
Surge(non-repetitive)forward current  
I
A
A2s  
℃
FSM  
I2t  
@60H sine wave, 1 cycle, T =25℃  
Z
j
Current squared time  
@1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode  
10.4  
Storage temperature  
T
-55 ~+150  
stg  
Junction temperature  
T
j
-55 ~+150  
℃
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
GBP2005SGBP201SGBP202SGBP204SGBP206SGBP208SGBP210S  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
V
V
1.00  
5
F
I
=1.0A  
FM  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per diode  
I
RRM  
V
=V  
μA  
RM RRM  
Thermal Characteristics （T =25℃ Unless otherwise specified）  
■
a
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Between junction and  
ambient  
Between junction  
and lead  
R
50.0  
5.0  
θJ-A  
Thermal  
Resistance  
℃/W  
R
θJ-c  
1 / 4  
S-B540  
Rev. 1.2, 20-Dec-16  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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