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GBJ4G

更新时间： 2024-01-02 23:20:59
品牌 Logo 应用领域
SECOS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 283K
描述
4.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBJ4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ-4, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40

GBJ4G 数据手册

 浏览型号GBJ4G的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ4A ~ GBJ4M  
VOLTAGE 50V ~ 1000V  
Elektronische Bauelemente  
4.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen-free.  
ƔFEATURES  
.
.
.
Surge overload rating – 125 amperes peak  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing  
Molded plastic technique  
.
Plastic material has underwrites laboratory  
Flammability classification 94V-0  
.
.
Polarity: marked on body  
Mounting position: Any  
ƔMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating 25 к ambient temperature unless otherwise specified.  
Resistive or inductive load, 60Hz,  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ4A  
50  
35  
GBJ4B  
100  
70  
GBJ4D  
200  
140  
GBJ4G  
400  
280  
400  
4.0  
GBJ4J  
600  
420  
GBJ4K  
800  
560  
GBJ4M  
1000  
700  
TYPE NUMBER  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)  
Rectified Current @ TC=100к(without heatsink)  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half Sine-wave superimposed  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
UNITS  
V
V
V
VDC  
50  
100  
200  
600  
800  
1000  
I(AV)  
IFSM  
A
2.4  
125  
A
on rated load (JEDEC method)  
Maximum Forward Voltage at 2.0A  
Maximum DC Reverse Current Ta=25 к  
at Rated DC Blocking Voltage Ta=125 к  
I2t Rating for fusing (t<8.3ms)  
VF  
IR  
I2t  
1.1  
5.0  
500  
93  
V
µA  
A2S  
pF  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note1)  
CJ  
45  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
RșJC  
TJ  
TSTG  
2.2  
- 55 ~ + 150  
- 55 ~ + 150  
к / W  
к
к
NOTES:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Device mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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与GBJ4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBJ4G-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ-4,
GBJ4J WTE

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GBJ4J SECOS

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 		4.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBJ4J PANJIT

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 		GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amp
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