GBJ4A-LF

更新时间： 2024-01-13 23:18:39

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WTE		二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ-4, 4 PIN

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GBJ4A-LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ-4, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
其他特性：	UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	1000 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40

100

Heatsink

T = 25°C

1.0

0.1

Resistive or

Inductive load

Pulse width = 300µs

100

125

150

0.0 0.2

0.6

1.0

1.4

1.8

T , TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Fwd Characteristics, per element

100

T_j= 25°C

f = 1.0MHz

Single half-sine-wave

(JEDEC method)

160

120

T_j= 25°C

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

GBJ4A – GBJ4M

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBJ4B	PANJIT	GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amp	获取价格
GBJ4B	WTE	4.0A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ4B	SECOS	4.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
GBJ4B	WON-TOP	Single In-Line	获取价格
GBJ4B-LF	WTE	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBJ-4,	获取价格
GBJ4D	PANJIT	GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amp	获取价格