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GBJ2004-F

更新时间： 2024-02-07 17:36:39

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3页	75K
描述
20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ2004-F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	45 weeks
风险等级：	1.56	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	400 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	240 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBJ2004-F 数据手册

100

With heatsink

1.0

Without heatsink

0.1

T_j= 25°C

Resistive or

Inductive load

100

125

150

0.01

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics (per element)

T_C, CASE TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

250

100

T_j= 25°C

f = 1MHz

T_j= 25°C

Single half-sine-wave

200

150

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current

Fig. 4 Typical Total Capacitance, Per Element

1000

T_j= 125°C

100

T_j= 100°C

T_j= 50°C

T_j= 25°C

1.0

0.1

100

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 5 Typical Reverse Characteristics

DS21220 Rev. 8 - 2

2 of 3

GBJ20005-GBJ2010

www.diodes.com

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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