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GBJ2006 PDF预览

GBJ2006

更新时间： 2024-01-18 13:46:29
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 948K
描述
Voltage 50V ~ 1000V 20.0 Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers

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GBJ2006 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.16
最小击穿电压：600 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：260 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBJ2006 数据手册

 浏览型号GBJ2006的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ20005 ~ GBJ2010  
Voltage 50V ~ 1000V  
20.0 Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
GBJ  
FEATURES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Rating to 1000V PRV  
Ideal for printed circuit board  
Low forward voltage drop, high current capability  
Reliable low cost construction utilizing molded plastic  
technique results in inexpensive product  
ꢀ
The plastic material has Underwriters Laboratory  
flammability classification 94V-0  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
30.3  
20.3  
4.8  
A
B
C
D
29.7  
19.7  
4.4  
J
K
L
0.6  
7.3  
2.0  
9.8  
0.8  
7.7  
2.4  
17.0  
18.0  
M
10.2  
E
F
3.0 x 45°  
N
P
Q
R
S
2.3  
3.6  
2.7  
4.2  
3.1  
-
3.4  
5.1  
2.9  
1.1  
G
H
10.8  
3.1  
11.2  
3.4  
2.5  
0.9  
I
3.4  
3.8  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Part Number  
Parameter  
Symbol  
Unit  
GBJ  
20005  
GBJ  
2001  
GBJ  
2002  
GBJ  
2004  
GBJ  
2006  
GBJ  
2008  
GBJ  
2010  
1000  
700  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
20  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
V
V
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (with heat sink) 2  
I(AV)  
A
Rectified Current @TC=100°C (without heat sink)  
3.6  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half  
Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VF  
IR  
260  
A
V
Maximum Forward Voltage @ 10A DC  
1.1  
10  
TJ=25°C  
Maximum DC Reverse Current  
µA  
at Rated DC Blocking Voltage  
TJ=125°C  
500  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
I2t  
240  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance Per Element 1  
CJ  
60  
Typical Thermal Resistance  
R
θJC  
0.8  
°C/W  
°C  
Operating and Storage temperature range  
TJ,TSTG  
-55~150  
Notes：  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 300mm*300mm*1.6mm Cu plate heat sink.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
19-Oct-2011 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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