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GBJ1010

更新时间： 2024-01-10 12:23:18
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2页 280K
描述
10.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBJ1010 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.7其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ1010 数据手册

 浏览型号GBJ1010的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ10005 ~ GBJ1010  
VOLTAGE 50V ~ 1000V  
Elektronische Bauelemente  
10.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen-free.  
FEATURES  
GBJ  
? .134(3.4)  
? .122(3.1)  
.189(4.8)  
.173(4.4)  
.150(3.8)  
1.193(30.3)  
1.169(29.7)  
Rating to 1000V PRV  
*
*
*
*
.134(3.4)  
Ideal for printed circuit board  
Low forward voltage drop, high current capability  
Reliable low cost construction utilizing molded  
plastic technique results in inexpensive product  
_
The plastic material has UL flammability  
classification 94V-0  
*
~
~
+
.106(2.7)  
.096(2.3)  
.094(2.4)  
.078(2.0)  
.043(1.1)  
.035(0.9)  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.031(0.8)  
.023(0.6)  
.402(10.2)  
.386(9.8)  
.303(7.7)  
.303(7.7)  
SPACING  
.287(7.3)  
.287(7.3)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating 25 o ambient temperature unless otherwise specified.  
C
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load,  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
10005  
GBJ  
1001  
GBJ  
1002  
GBJ  
1004  
GBJ  
1006  
GBJ  
1008  
GBJ  
1010  
SYMBOL  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
30  
50  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
V
V
V
70  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
10.0  
3.0  
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)  
I(AV)  
A
o
C
Rectified Current  
@ TC=110  
(without heatsink)  
Peak Forward Surage Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
IFSM  
220  
A
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)  
1.1  
Maximum Forward Voltage at 5.0A DC  
VF  
IR  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TJ=25oC  
@ TJ=125o  
10.0  
500  
uA  
C
I2t  
CJ  
A2s  
pF  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
120  
55  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
o
RθJC  
TJ  
C/W  
1.4  
o
C
-55 to +150  
o
C
-
Storage Temperature Range  
TSTG  
55 to +150  
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2.Device mounted on 150mm*150mm*1.6mm cu plate heatsink.  
ht  
t
p:/ /ww w.  
S
eCoS GmbH.  
c
om/  
Any changing of specification will not be informed individ  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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