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GBJ1010-G

更新时间： 2024-02-17 14:49:53

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上华 - COMCHIP		局域网二极管
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描述
BRIDGE DIODE 10A 1000V GBJ

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GBJ1010-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	220 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBJ1010-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

GBJ10005-G thru GBJ1010-G

REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000V

"-G" : RoHS Device

FORWARD CURRENT - 10 A

GBJ

FEATURES

- Rating to 1000V PRV

? .134(3.4)

? .122(3.1)

- Ideal for printed circuit board

.189(4.8)

1.193(30.3)

1.169(29.7)

.173(4.4)

.150(3.8)

.134(3.4)

- Low forward voltage drop,high current capability

- Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique results in inexpensive product

- The plastic material has UL flammability

.118(3.0)*45°

classification 94V-0

.106(2.7)

.096(2.3)

.094(2.4)

.078(2.0)

.114(2.9)

.098(2.5)

.043(1.1)

.035(0.9)

.031(0.8)

.023(0.6)

.402(10.2)

.386(9.8)

.303(7.7).303(7.7)

SPACING

.287(7.3)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBJ

10005

GBJ

1001

GBJ

1002

GBJ

1004

GBJ

1006

GBJ

1008

GBJ

1010

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

10.0

3.0

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC=110℃ (without heatsink)

Peak Forward Surage Current

IFSM

220

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.1

Maximum Forward Voltage at 5.0A DC

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

μA

@ TJ=125℃

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

120

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

1.4

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 150mm*150mm*1.6mm cu plate heatsink.

Page 1

MDS0912004A

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