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GB70LA60UF

更新时间： 2024-11-30 10:40:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 174K
描述
'Low Side Chopper' IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A

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GB70LA60UF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：111 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：447 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：308 ns
标称接通时间 (ton)：277 nsVCEsat-Max：2.44 V
Base Number Matches：1

GB70LA60UF 数据手册

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GB70LA60UF  
Vishay Semiconductors  
"Low Side Chopper" IGBT SOT-227  
(Warp 2 Speed IGBT), 70 A  
FEATURES  
• NPT warp 2 speed IGBT technology with  
positive temperature coefficient  
• Square RBSOA  
• Low VCE(on)  
• FRED Pt® hyperfast rectifier  
• Fully isolated package  
SOT-227  
• Very low internal inductance (5 nH typical)  
• Industry standard outline  
• UL approved file E78996  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
BENEFITS  
VCES  
600 V  
70 A at 88 °C  
2.4 V  
• Designed for increased operating efficiency in power  
conversion: UPS, SMPS, welding, induction heating  
IC DC  
VCE(on) typical at 70 A, 25 °C  
IF DC  
• Easy to assemble and parallel  
70 A at 86 °C  
• Direct mounting to heatsink  
• Plug-in compatible with other SOT-227 packages  
• Higher switching frequency up to 150 kHz  
• Lower conduction losses and switching losses  
• Low EMI, requires less snubbing  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
111  
76  
UNITS  
Collector to emitter voltage  
VCES  
V
TC = 25 °C  
Continuous collector current  
IC  
TC = 80 °C  
Pulsed collector current  
ICM  
ILM  
120  
120  
113  
75  
Clamped inductive load current  
A
TC = 25 °C  
TC = 80 °C  
Diode continuous forward current  
IF  
Peak diode forward current  
Gate to emitter voltage  
IFM  
200  
20  
VGE  
V
W
V
TC = 25 °C  
447  
250  
236  
132  
2500  
Power dissipation, IGBT  
PD  
TC = 80 °C  
TC = 25 °C  
Power dissipation, diode  
RMS isolation voltage  
PD  
TC = 80 °C  
VISOL  
Any terminal to case, t = 1 min  
Document Number: 93104  
Revision: 22-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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与GB70LA60UF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GB70LA60UF_13 VISHAY

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 		Low Side Chopper IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
GB70NA60UF VISHAY

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 		'High Side Chopper' IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
GB70NA60UF_13 VISHAY

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 		High Side Chopper IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
GB72050-26511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 5 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.039 inch Pitch, Surface M
GB72050-36511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 5 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, LEA
GB72051-26511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 5 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, LEA
GB72051-36511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 5 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, LEA
GB72070-26511-8F FOXCONN

获取价格

 		Card Edge Connector, 7 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.039 inch Pitch, Surface M
GB72070-36511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 7 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, LEA
GB72071-26511-8F FOXCONN

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 		Card Edge Connector, 7 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, LEA

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