5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.26 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 131 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 658 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 426 ns | 标称接通时间 (ton)： | 326 ns |
| VCEsat-Max： | 3.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GB75XF60K | VISHAY |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, ECONO2 |
|
| GB75YF120N | INFINEON |
获取价格 |
IGBT FOUR PAK MODULE |
|
| GB75YF120UT | VISHAY |
获取价格 |
IGBT Fourpack Module, 75 A |
|
| GB7NB60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH TM IGBT |
|
| GB80 | GPSEMI |
获取价格 |
BOX CLAMP FOR HOCKEY PUKS |
|
| GB80-21 | TDK |
获取价格 |
可编程电源 |
|
| GB80-65-3P208 | TDK |
获取价格 |
可编程电源 |
|
| GB80-65-3P400 | TDK |
获取价格 |
Programmable Power Supplies |
|
| GB80-65-3P480 | TDK |
获取价格 |
Programmable Power Supplies |
|
| GB-809 | LUCKY-LIGHT |
获取价格 |
Multi-Color, Common Cathode 8mm Round Type LED Lamps (3 Pins) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
