G8370-82

更新时间： 2025-07-30 07:01:03

品牌	Logo	应用领域
HAMAMATSU		半导体光电二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
InGaAs PIN photodiode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

G8370-82 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-5, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大暗电源：	25 nA	红外线范围：	YES
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	峰值波长：	1550 nm
最小反向击穿电压：	2 V	最大反向电压：	2 V
半导体材料：	InGaAs	形状：	ROUND
尺寸：	2 mm	子类别：	Photo Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

G8370-82 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode

G8370-81/-82/-83/-85

Low PDL (Polarization Dependence Loss)

InGaAs PIN photodiodes G8370-81/-82/-83/-85 have low PDL (Polarization Dependence Loss) at 1.55 µm, large shunt resistance and very low

noise. Hamamatsu provides various types of InGaAs PIN photodiodes with active areas from φ1 to φ5 mm.

Features

Applications

Low PDL (Polarization Dependence Loss)

Low noise, low dark current

Large active area

Laser monitor

Optical power meter

Laser diode life test

Various active area sizes available

ꢀ Specifications / Absolute maximum ratings

Absolute maximum ratings

Dimensional

outline/

Reverse

voltage

VR Max.

(V)

Operating

temperature

Topr

Storage

temperature

Tstg

Active area

Type No.

Package

Window

material *¹

(mm)

φ1

φ2

φ3

φ5

(°C)

G8370-81

ꢀ/K

TO-18

TO-5

TO-8

G8370-82

G8370-83

G8370-85

-40 to +85

-55 to +125

ꢀ Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)

Cut-off

frequency

Terminal

capacitance

V =1 V

f=1 MHz

Dark

current

Peak

sensitivity

wavelength

λp

Photo

sensitivity

Shunt

resistance

Rsh

Spectral

response

range

PDL

λ=λp

NEP

λ=λp

=1 V

Type No.

VR=1 V

=50

V =10 mV

Ω

-3 dB

1.3 µm

λ=λp

Min. Typ. Min. Typ.

(A/W) (A/W) (A/W) (A/W)

Typ. Max.

(nA) (nA) (MHz)

Typ. Max.

(mdB) (mdB) (cm· Hz^1/2/W)

(µm)

(pF)

550

1000

3500

(MΩ)

100

(W/Hz^1/2

)

G8370-81

2 × 10^-14

4 × 10^-14

6 × 10^-14

1 × 10^-13

G8370-82

G8370-83

G8370-85

0.9 to 1.7 1.55 0.8 0.9 0.85 1.1

10 5 × 10¹²

15 75

125 *²

0.6

25 *²

*1: Window material K: borosilicate glass with anti-reflective coating (optimized for 1.55 µm peak)

*2: VR=0.1 V

12 3

中文翻译

下载PDF

与G8370-82相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
G8370-83	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8370-85	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8371-01	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8371-03	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8372-01	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8372-03	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8373-01	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8373-03	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8376	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode
G8376-01	HAMAMATSU	获取价格	InGaAs PIN photodiode

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

G8370-82

G8370-82 技术参数

G8370-82 数据手册

与G8370-82相关器件

与G8370-82相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

G8370-82

G8370-82 技术参数

G8370-82 数据手册

与G8370-82相关器件

与G8370-82相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？