G7151-16

更新时间： 2024-10-27 22:32:27

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
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描述
InGaAs PIN photodiode array

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G7151-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIP-18	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 16 ELEMENTS
最大暗电源：	1 nA	红外线范围：	YES
功能数量：	1	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	1550 nm	最小反向击穿电压：	5 V
形状：	RECTANGULAR	尺寸：	1.28 mm
Base Number Matches：	1

G7151-16 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode array

G7150/G7151-16

16-element array

Features

Applications

16-element array

Near Infrared (NIR) spectrophotometer

For simple measurement

■ General ratings

Parameter

Package

G7150-16

0.45 × 1 (× 16 elements)

G7151-16

DIP

Unit

Active area

0.08 × 0.2 (× 16 elements)

■ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)

Parameter

Reverse voltage

Symbol

Value

Unit

Operating temperature

Storage temperature

Topr

Tstg

-25 to +70

°C

■ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, per 1 element)

G7150-16

G7151-16

Parameter

Symbol

Condition

Unit

Min.

Typ.

0.9 to 1.7

1.55

Max.

Min.

Typ.

0.9 to 1.7

1.55

Max.

Spectral response range

Peak sensitivity wavelength

µm

λp

0.9

0.95

0.9

0.95

0.2

λ=1.3 µm

λ=1.55 µm

VR=1 V

VR=1 V, RL=50 Ω

λ=1.3 µm, -3 dB

VR=1 V, f=1 MHz

Photo sensitivity

Dark current

A/W

Cut-off frequency

300

MHz

Terminal capacitance

Shunt resistance

Detectivity

100

5 × 10¹²

2 × 10^-14

1000

5 × 10¹²

3 × 10^-15

MΩ

cm·Hz^1/2/W

W/Hz^1/2

Rsh VR=10 mV

λ=λp

NEP

Noise equivalent power

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