G6742-003

更新时间： 2024-02-19 06:51:31

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
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2页	338K
描述
InGaAs PIN photodiode

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G6742-003 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CERAMIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.61
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大暗电源：	1.5 nA	红外线范围：	YES
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	1550 nm	最小反向击穿电压：	20 V
形状：	ROUND	尺寸：	0.3 mm
Base Number Matches：	1

G6742-003 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs PIN photodiode

G6742 series

Surface-mount type

Features

Applications

Small chip carrier package

High reliability

Laser diode monitors

Low price

ꢀ General ratings

Parameter

G6742-003

G6742-01

Unit

Package

Ceramic base

Active area

φ0.3

φ1.0

ꢀ Absolute maximum ratings

Parameter

Symbol

G6742-003

G6742-01

Unit

Reverse voltage

Operating

temperature

VR Max.

Topr

Tstg

-40 to +85 *

°C

Storage temperature

* No condensation

-55 to +125 *

ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C)

G6742-003

G6742-01

Parameter

Symbol

Condition

Unit

µm

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Spectral response

range

0.9 to 1.7

Peak sensitivity

wavelength

1.55

λp

0.8

0.85

0.9

0.95

0.3

0.8

0.85

0.9

0.95

λ=1.3 µm

λ=1.55 µm

VR=5 V

Photo sensitivity

Dark current

A/W

1.5

VR=5 V, RL=50 Ω

-3 dB

f=1 MHz

Cut-off frequency

300

MHz

Terminal

capacitance

Shunt resistance

VR=5 V

Rsh

D^∗

VR=10 mV

1000

5 × 10¹²

100

5 × 10¹²

MΩ

Detectivity

Noise equivalent

power

cm · Hz^1/2/W

λ=λp

NEP

4 × 10^-15

2 × 10^-14

W/Hz^1/2

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