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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X | JESD-609代码： | e0 |
| 相数： | 1 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G504120Y1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1EC1S | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1EN1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
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| G504120Y1FB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Y1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| G504120Y1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G504120Z1EB1 | ETC |
获取价格 |
3 Phase Bridge |
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