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G42160H1EB1S

更新时间: 2024-11-06 13:17:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

G42160H1EB1S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
Is Samacsys:N应用:POWER
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE相数:1
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

G42160H1EB1S 数据手册

  

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